啥是esd保护_啥是esd保护

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希荻微申请ESD保护电路专利,能够在芯片发生ESD时实现ESD保护,以...金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,希荻微电子集团股份有限公司申请一项名为“ESD保护电路、ESD保护方法与电子设备“,公开号CN117477509A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示,本申请公开了一种ESD保护电路与电子设备,ESD保护电路包括N路输入支路、第...

...半导体制备方法、半导体结构和芯片专利,同时提供BDI层以及ESD保护形成第一晶体管的第一外延结构和第二外延结构、以及第二晶体管的第三外延结构,其中,第一外延结构和第二外延结构构成第一晶体管的源极和/或漏极,第三外延结构构成第二晶体管的源极和/或漏极,BDI层介于第三外延结构和衬底之间。通过本申请,同时了提供BDI层以及ESD保护。本...

...研为主,温度监控、ESD及接地监控及碰撞保护不采用电子皮肤传感器金融界1月22日消息,有投资者在互动平台向佰奥智能提问:公司的机器人配套本安型智能相机、智能振动声音传感模组等系列用于危险环境的智能感知及预测性维护等产品为专有技术,其中温度监控、ESD及接地监控及碰撞保护等均已申请专利。公司的传感器是自研还是外购?另外温度...

帝奥微申请超低漏电ESD保护电路专利,实现了超低漏电要求金融界2024年1月6日消息,据国家知识产权局公告,江苏帝奥微电子股份有限公司申请一项名为“一种超低漏电ESD保护电路“,公开号CN117353263A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明公开了一种超低漏电ESD保护电路,m个抑制对地寄生三极管的隔离N+/P阱ESD二极管D...

中芯集成-U申请ESD保护结构专利,确保第一掺杂区域被第二掺杂区域...金融界2023年11月26日消息,据国家知识产权局公告,绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请一项名为“一种具有ESD保护结构的器件及其制造方法、电子装置“,公开号CN117116934A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,该制造方法包括:提供基底,包括ESD保护结构区,在ESD保护...

...、半导体结构和芯片专利,能够为具有BDI层的GAA晶体管提供ESD保护晶体管对应的部分,以暴露出第一晶体管的第一外延结构,其中,第一外延结构构成第一晶体管的源极和/或漏极;在第一外延结构上形成第二外延结构,其中,第一外延结构和第二外延结构构成静电放电路径。通过本申请的方案,能够为具有BDI层的GAA晶体管提供ESD保护。本文源自金融界

高通公司申请用于多电压轨薄栅输出驱动器的静电放电电路专利,该...金融界2024年1月30日消息,据国家知识产权局公告,高通股份有限公司申请一项名为“用于多电压轨薄栅输出驱动器的静电放电电路“,公开号CN117480607A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,接口电路中的ESD保护电路具有:第一二极管,该第一二极管耦合在集成电路器件的第一电...

星云股份取得电源输入保护电路专利,极大提升了电源保护的全面性、...福建星云电子股份有限公司取得一项名为“一种电源输入保护电路“,授权公告号CN220107567U,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本实用新型提供了保护电路技术领域的一种电源输入保护电路,包括接线端子J1、保险丝F1、电容C1、电容C10、电容C25、二极管D2、ESD管D1...

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闻泰科技:安世半导体产品组合广泛 应用于多领域电子设计金融界11月16日消息,闻泰科技在互动平台表示,安世半导体拥有丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)、碳化硅(SiC)二极管、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及模拟IC和逻辑IC,广泛应用于各类电子设计。本文源自金融...

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三星SSIR携手印度科学学院IISc推动半导体研发IT之家 2 月 9 日消息,三星印度半导体宣布,三星半导体印度研究院(SSIR)与印度科学学院(IISc)将携手推动印度的半导体研发。SSIR 和 IISc 之间的合作将有助于促进片上静电释放 (ESD) 保护领域的研究。官方公告围绕构建 ESD 器件(静电阻抗器)以保护高级 IC 和 SoC 产品中的超高速串...