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概念追踪 | 第四代半导体材料领域取得重要进展 氧化镓VS碳化硅 谁是...(高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器)被大会接收,这也是中国科大首次以第一作者单位在国际电子器件大会上发表论文。专业人士指出,氧化镓材料是最有可能在未来大放异彩的材料之一,在未来的10年左右,氧化镓器件有可能成为有竞争力的电力电子器件,会直接与碳化硅器...

氮化镓out了?日企2025年量产100毫米氧化镓晶圆半导体行业的发展离不开基础材料的不断进化,目前,氧化镓正成为半导体行业冉冉升起的新星。据CNMO了解,氧化镓被认为是继第三代半导体材料碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)之后的第四代半导体材料。可以说,氧化镓是最具市场潜力的半导体材料,有可能在未来十年称霸半导体市场。对...

我国团队在8英寸硅片上制备出高质量氧化镓外延片氧化镓是一种超宽禁带半导体材料,具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性,在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成,同时拥有成本低和散热好等优势。氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料,是被国际普遍关注并认可已开启产...