您当前的位置:首页 > 博客教程

啥叫纳米技术_啥叫纳米技术

时间:2024-03-07 05:57 阅读数:8160人阅读

●ω● *** 次数:1999998 已用完,请联系开发者***

∩▂∩ 美光计划部署纳米印刷技术,降低DRAM芯片生产成本美光科技公司计划率先支持佳能的纳米印刷技术,从而进一步降低生产 DRAM 存储芯片的单层成本。美光公司近日举办了一场演讲,介绍在将纳米印刷技术应用于 DRAM 生产的一些细节。美光在演讲中表示 DRAM 节点和沉浸式光刻分辨率问题,名为“Chop”的层数量不断增加,这就意味...

5246e1cd2b774007a7722ac48725d1e9.jpeg

╯^╰ 美光计划率先支持佳能的纳米印刷技术以降低DRAM成本钛媒体App 3月6日消息,美光科技公司计划率先支持佳能的纳米印刷技术,从而进一步降低生产DRAM存储芯片的单层成本。

b23adefaf27942ffb239bd5b22f6d87e.jpeg

...纳米颗粒掺杂的陶瓷膜催化反应器的制备方法专利,催化剂装置技术...金融界2024年3月4日消息,据国家知识产权局公告,江苏正丹化学工业股份有限公司申请一项名为“一种FeVO4-FeCeO3纳米颗粒掺杂的陶瓷膜催化反应器的制备方法“,公开号CN117619397A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明公开了催化剂装置技术领域内的一种FeVO。...

?ω? open-uri20170506-29832-18q8hnp?1494008193

(°ο°) 汇创达:公司微纳米热压印技术相关专利情况请查阅定期报告及相关公告金融界2月28日消息,有投资者在互动平台向汇创达提问:你好!请问:公司在微纳米热压印技术方面,到目前为止,总共取得了多少项专利!公司回答表示:公司相关专利情况请详见公司披露于巨潮资讯网(www.cninfo.com.cn)的定期报告及相关公告。本文源自金融界AI电报

18c2e179070e4d2ca7e3f167401f4e00.jpeg

北京大学申请单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法专利,该专利技术能...使其垂直于竖直喷淋的气流进行气相沉积生长单壁碳纳米管。本发明的单壁碳纳米管水平阵列的生长面积可达一英寸,密度最高可达140根/微米,且表现出超高质量。该制备方法结合了激光划刻技术、离子注入技术以及竖直喷淋设备,实现了蓝宝石单晶基底的表面重构、其上催化剂分布以...

33c9e4bada694b918e2f9f468755afbf.png

梦百合申请铽-卟啉纳米荧光探针专利,能够同时满足对细菌孢子的比色-...本发明公开了一种用于细菌孢子检测及原位杀灭的铽‑卟啉纳米荧光探针及其制备方法,它涉及生物纳米材料技术领域。铽‑卟啉纳米荧光探针包括以下组分:卟啉、铽离子溶液和有机试剂。铽‑卟啉纳米荧光探针的制备方法,包括以下步骤:将卟啉和铽离子溶液依次加入有机试剂中,混合...

e20151207105910.jpg

晶石能源申请掺杂型纳米磷酸锰铁锂/碳正极材料的制备方法专利,能...金融界2024年3月5日消息,据国家知识产权局公告,无锡晶石新型能源股份有限公司申请一项名为“一种掺杂型纳米磷酸锰铁锂/碳正极材料的制备方法“,公开号CN117645288A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本发明涉及锂离子电池正极材料技术领域,公开了一种掺杂型纳米磷酸...

W020101104383963104743.jpg

o(╯□╰)o 日联科技申请离线式纳米级开放管X射线3D检测设备专利,实现了单...金融界2024年3月4日消息,据国家知识产权局公告,无锡日联科技股份有限公司申请一项名为“离线式纳米级开放管X射线3D检测设备“,公开号CN117630063A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明涉及X射线检测技术领域,尤其涉及一种离线式纳米级开放管X射线3D检测设备...

146700726703874347.PNG

千禧龙纤申请超高分子量聚乙烯与碳纳米管复合纤维的制备方法及应用...金融界2024年3月4日消息,据国家知识产权局公告,浙江千禧龙纤特种纤维股份有限公司申请一项名为“超高分子量聚乙烯与碳纳米管复合纤维的制备方法及应用“,公开号CN117626638A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示,本发明涉及超高分子量聚乙烯改性技术领域,公开了一种超...

b3986676860c4eb5b34d605de4f1a89b.png

三星取得集成电路器件专利,该专利技术能实现鳍型有源区、纳米片和...金融界2024年2月23日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“集成电路器件“的专利,授权公告号CN110890363B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示,一种集成电路(IC)器件可以包括:鳍型有源区,从衬底突出并沿第一水平方向延伸;第一纳米片,设置在鳍型有源区...

201835541304270.jpg

快帆加速器部分文章、数据、图片来自互联网,一切版权均归源网站或源作者所有。

如果侵犯了你的权益请来信告知删除。邮箱:xxxxxxx@qq.com