匹字的结构是_匹字的结构是什么

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长鑫存储申请半导体结构制备方法及半导体结构专利,增加字线结构所...第二沟槽隔离结构及第三沟槽隔离结构;形成底面接触衬底上表面的两个间隔的栅极沟槽,目标半导体层位于栅极沟槽内的部分裸露并悬空;于栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的栅极结构。本公开实施例至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下,增加字线结构所占空间体...

长鑫存储申请半导体结构的制备方法及半导体结构专利,增加单个存储...目标栅极沟槽的沿第二方向延伸的侧壁包括由内至外依次叠置的第一子侧壁及第二子侧壁;于目标栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的两个沿第二方向间隔的栅极结构。本公开至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下,增加单个存储单元结构中栅极结构与字线结构的厚度...

∪ω∪ 长鑫存储取得字线引出结构及其制备方法专利,可以减小字线引出结构...金融界2023年12月12日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“字线引出结构及其制备方法“,授权公告号CN113745193B,申请日期为2020年5月。专利摘要显示,本申请涉及一种字线引出结构及其制备方法,在衬底上形成沿X轴方向延伸的字线;形成沿Y轴方向...

?▂? 书法结构,大有学问!一字之结构。”今人张鸿来以势式、动定二者,分用笔、结字曰:“书之所谓势,乃指其动向而言,此用笔之事也;书之所谓式,乃指其定象言,结字之事也。”但是,结构是书学上的方法,是艺术方面的技巧,而不是目的。换句话说,便是在书法上的成功,还有技巧以上的种种条件。来源书法屋,书法...

长鑫存储申请半导体专利,可以在形成字线的时候保护外围区的结构...形成字线,字线位于阵列区的基底内;形成间隔层,间隔层至少位于外围区的保护层的顶面;去除位于外围区的间隔层和保护层;形成栅介质层,栅介质层位于外围区的基底的顶面;形成栅极结构,栅极结构位于外围区的栅介质层的顶面。可以在形成字线的时候保护外围区的结构防止外围区的结...

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●▂● 长鑫存储申请存储器结构、半导体结构及其制备方法专利,能够避免...金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司申请一项名为“存储器结构、半导体结构及其制备方法“,公开号CN117542834A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本申请涉及一种存储器结构、半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括衬底及字线结构...

长鑫存储申请半导体结构及其制造方法专利,实现优化半导体结构长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制造方法“,公开号CN117219655A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法,所述半导体结构包括:衬底;多个凹槽,所述凹槽位于所述衬底内且沿第一方向延伸;多个字线结构,所述...

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长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,该专利技术能降低单个...本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体的制备方法包括:提供衬底,衬底包括阵列排布的有源区和隔开有源区的隔离结构,衬底具有相对的第一表面和第二表面;形成埋入式字线结构,埋入式字线结构位于衬底中靠近第一表面的一侧,且嵌入有源区;形成位线结构,位线结构位于衬底...

＞▽＜ 长鑫存储取得半导体测试专利,本方法简单易实现,且不受半导体结构的...金融界2023年12月2日消息,据国家知识产权局公告,长鑫存储技术有限公司取得一项名为“半导体测试方法及测试结构”,授权公告号CN116540048B,申请日期为2023年3月。专利摘要显示,本公开提供一种半导体测试方法及测试结构,该方法通过检测第一字线结构和第二字线结构连接前...

三星取得三维半导体存储器件专利,能够支撑结构的外围电路区授权公告号CN110190061B,申请日期为2018年12月。专利摘要显示,本公开提供了三维半导体存储器件。一种半导体存储器件包括单元阵列区,该单元阵列区包括堆叠结构和在堆叠结构之间延伸的字线切割区。此外,半导体存储器件包括与单元阵列区成堆叠并包括支撑结构的外围电路区...