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＼　＿　／ 镓特半导体取得用于生长GaN的HVPE设备排气装置专利,提高排气管的...金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,镓特半导体科技(铜陵)有限公司取得一项名为“用于生长GaN的HVPE设备排气装置”的专利,授权公告号CN 222024560 U,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本实用新型公开了用于生长GaN的HVPE设备排气装置,包括:反应腔(...

●０● 镓特半导体取得用于卧式HVPE的氮化镓反应器专利,避免生成的晶圆片...金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,镓特半导体科技(铜陵)有限公司取得一项名为“用于卧式HVPE的氮化镓反应器”的专利,授权公告号CN 222024558 U,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本实用新型公开了用于卧式HVPE的氮化镓反应器,包括:反应室(1),所述反...

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＞﹏＜ 中镓半导体申请 GaN 单晶衬底的 HEMT 外延结构和外延方法专利,调控...金融界 2024 年 11 月 22 日消息,国家知识产权局信息显示,东莞市中镓半导体科技有限公司申请一项名为“GaN 单晶衬底的 HEMT 外延结构和外延方法”的专利,公开号 CN 118983336 A,申请日期为 2024 年 8 月。专利摘要显示,本发明公开一种 GaN 单晶衬底的 HEMT 外延结构,包括 G...